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            1. 電子元器件數據表 IC PDF查詢
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              型號:  
              描述:
              TL2205EEBPYB  NHP-100  TPS72715YFFR  VSA-0LPHE10NC  NMOA8100GFF-XX02-4011  TL2205EECPGA  TL2205EEBPRB  ZP4-130-44-G2  TL2205EEBPGB  XT9S18GRR40M  
              CSD17571Q2 30V N通道NexFET功率MOSFET (30V N-Channel NexFET Power MOSFETs)
              .型號:   CSD17571Q2
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              描述: 30V N通道NexFET功率MOSFET
              30V N-Channel NexFET Power MOSFETs
              文件大小 :   908 K    
              頁數 : 11 頁
              Logo:   
              品牌   TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
              購買 :   
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              SLPS393 - 2013年10月
              30V N通道NexFET ?功率MOSFET
              檢查樣品:
              1
              特點
              低Q
              g
              和Q
              gd
              低熱阻
              額定雪崩
              無鉛端子電鍍
              符合RoHS
              無鹵
              SON 2毫米×2毫米的塑料包裝
              產品概述
              V
              DS
              Q
              g
              Q
              gd
              R
              DS ( ON)
              V
              GS ( TH)
              漏源極電壓
              柵極電荷總數( 4.5 V )
              柵極電荷柵漏
              漏極至源極導通電阻
              閾值電壓
              30
              2.4
              0.6
              V
              GS
              = 4.5 V
              V
              GS
              = 10 V
              1.6
              24
              20
              V
              nC
              nC
              V
              ?
              ?
              ?
              ?
              ?
              ?
              ?
              2
              訂購信息
              設備
              CSD17571Q2
              SON 2毫米×2毫米
              塑料包裝
              媒體
              7-Inch
              REEL
              數量
              3000
              磁帶和
              REEL
              應用
              ?
              ?
              ?
              優化負載開關應用
              存儲,平板電腦和手持設備
              優化控制FET應用
              絕對最大額定值
              T
              A
              = 25°C
              價值
              30
              ±20
              22
              7.6
              單位
              V
              V
              A
              A
              A
              W
              °C
              mJ
              描述
              這30V , 20MΩ , Son2x2 NexFET?功率MOSFET
              已被設計為最小化功率損耗
              轉化率和負載管理應用程序,而
              對于規模提供了出色的散熱性能
              該程序包。
              頂視圖
              D
              1
              D
              6
              D
              V
              DS
              V
              GS
              I
              D
              I
              DM
              P
              D
              T
              J
              ,
              T
              英鎊
              E
              AS
              漏源極電壓
              柵極至源極電壓
              連續漏電流(套餐限制)
              連續漏電流
              功耗
              工作結存儲
              溫度范圍
              雪崩能量,單脈沖
              I
              D
              = 12 A,L = 0.1 mH的,R
              G
              = 25
              Ω
              漏電流脈沖,T
              A
              = 25°C
              39
              2.5
              -55到150
              7.2
              (1) R
              θJA
              = 50的1in2銅(2盎司)對0.060"厚的FR4 PCB
              D
              2
              5
              D
              (2)脈沖持續時間10
              μs,
              占空比
              ≤2%
              G
              3
              S
              4
              S
              P0108-01
              50
              R
              DS
              (
              on
              )
              - 通態電阻(mΩ )
              46
              42
              38
              34
              30
              26
              22
              18
              14
              10
              0
              2
              4
              R
              DS ( ON)
              VS V
              GS
              V
              GS
              - 柵極 - 源極電壓( V)
              T
              C
              = 25 ° C,I
              D
              = 5A
              T
              C
              ≤ 125 ° C,I
              D
              = 5A
              柵極電荷
              10
              9
              8
              7
              6
              5
              4
              3
              2
              1
              0
              0
              0.5
              1
              1.5
              2 2.5 3 3.5 4
              Q
              g
              - 柵極電荷( NC)
              4.5
              5
              5.5
              G001
              I
              D
              = 5A
              V
              DS
              =15V
              6
              8
              10
              12
              14
              16
              V
              GS
              - 柵極 - 源極電壓(V)
              18
              20
              G001
              1
              2
              請注意,一個重要的通知有關可用性,標準保修,并且在關鍵的應用程序中使用
              德州儀器公司的半導體產品和免責條款及其出現在此數據表的末尾。
              的NexFET是德州儀器的商標。
              版權所有? 2013年,德州儀器
              PRODUCTION數據信息為出版日期。
              產品符合占德州條款規范
              儀器標準保修。生產加工過程中不
              不一定包括所有參數進行測試。
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